RF(고주파) 질화갈륨(GaN) 반도체 및 방산 전문기업 웨이비스는 한국형 차기 구축함 KDDX 다기능레이더의 핵심 부품을 수요자의 요구 사양에 맞춰 국내 최초 주문제작 방식으로 개발하고, 이를 적용한 국방반도체 칩과 송신 모듈을 국내 무기체계에 공급한다고 10일 밝혔다.
총사업비 7조8000억 원 규모의 KDDX 사업은 7000톤급 구축함 6척을 순수 국산 기술로 건조하는 초대형 프로젝트다. 정부는 2032년 선도함 전력화를 시작으로 2036년까지 6척을 순차 배치할 예정이며, 선도함에는 9종의 국산 핵심 개발 장비가 탑재된다.
웨이비스는 이번 사업을 통해 국내 팹(FAB)에서 생산된 S대역 고출력 트랜지스터와 이를 탑재한 송신모듈을 공급하며, 해당 부품들은 KDDX의 핵심 센서인 다기능레이더 시스템에 적용된다.
다기능레이더의 송수신부에 탑재되는 GaN 반도체는 고전압·고출력·초고주파 환경에서 작동하는 핵심 부품으로, 그동안 해외 의존도가 높아 공급망 안정화에 대한 필요성이 꾸준히 제기돼 왔다.
이에 웨이비스는 다기능레이더 시스템의 까다로운 성능 기준을 충족하기 위해 주문제작 방식을 적용했다. 회사는 칩 설계부터 제조에 이르는 전 과정을 자체 기술력으로 완성해 해외 수입에 의존하던 핵심 부품의 국산화를 이뤄냈으며, 무기체계 개발 단계부터 국산 국방반도체를 적용할 수 있는 기틀을 마련했다.
이번 KDDX 사업 참여로 웨이비스는 방산 부문에서 안정적인 양산 실적 기반을 마련하게 됐으며, 향후 후속 함정 건조 및 유지보수(MRO) 사업을 통해 추가적인 사업 기회 창출을 기대하고 있다.
또한 회사는 S대역 고출력 트랜지스터에 이어 S대역 및 X대역 고집적 칩인 GaN 단일마이크로파집적회로(MMIC)의 국산화 연구도 박차를 가하는 중이다. GaN MMIC의 국산화까지 완료되면 함정용 레이더를 비롯한 국내 방산 전자장비의 해외 부품 의존도를 대폭 낮출 수 있을 전망이다.
웨이비스는 국내에서 유일하게 RF GaN 반도체 생산을 위한 Fab 일관 생산라인을 자체 구축해 운영 중이다. 설계부터 생산까지 전 공정을 내재화해 고객 요구에 맞춘 신속한 설계 변경이 가능하며, 평균 납품 리드타임도 약 7주 수준으로 우수한 경쟁력을 확보하고 있다.
이러한 독보적 기술력을 바탕으로 KDDX 외에도 L-SAM, 차세대 호위함(Batch-Ⅲ·Batch-Ⅳ) 등 주요 국방 프로젝트에 참여하며 국산화 이력을 쌓아가는 상황이다.
웨이비스 관계자는 “KDDX 사업은 순수 국내 기술로 개발한 RF GaN 반도체를 실전 무기체계에 탑재하는 뜻깊은 이정표”라며 “앞으로도 RF GaN 반도체 기술 고도화와 생산 인프라 확충을 이어가 국내 방산 공급망 안정화와 국방반도체 산업 경쟁력 제고에 앞장서겠다”라고 강조했다.
