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[스코프노트] SK하이닉스: 실적 안정성과 HBM 수요 지속 확인

제프리 기자

입력 2025.07.24 12:39

숏컷

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시장 기대치에 부합한 2분기 실적 발표 이후, HBM 중심의 수요 견조함과 수익성 방어 전략이 컨콜에서 확인됨
HBM4 가격 협상 구도, DRAM 전공정 전환, 낸드 및 일반 서버 수요 회복 등 다층적인 성장 구간 진입
구조적 성장 기조 하에 단기 변동성은 존재하나, 기술 리더십 기반의 점진적 접근 유효


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투자포인트

# 수익성 변동 리스크 대응, 기술 리더십 기반 점진적 접근 유효

• HBM4의 로직 다이 비용 증가로 수익성 하락 리스크 존재하며, 고객사와의 가격 협상에 따라 마진 변동성 확대 가능성
• 단기적으로는 HBM3E 대비 수익성 저하 우려가 있으나, HBM4E로의 기술 전환 시 높은 진입장벽을 바탕으로 기술 주도권과 협상력 재강화 예상
• 실적 변동성은 존재하나, 고사양 메모리 수요 증가와 기술 리더십 지속을 전제로 점진적 분할 접근 전략 유효

1. HBM 리더십 강화

• 고객사와의 긴밀한 협상을 통해 HBM4 등 차세대 제품의 원가 상승분을 반영한 가격 책정 진행 중
• 2025년 HBM 비트 출하량은 전년 대비 약 2배 수준으로 견조한 성장세 유지
• I/O 증가, 로직 베이스 다이 등 구조 복잡화에 따른 원가 부담을 고객과 분담하며 수익성 방어 전략 병행

2. CAPEX 선제 확대

• 주요 고객사의 2026년 HBM 수요 가시성이 확보됨에 따라 투자 계획 상향
• M15X는 2025년 4분기 오픈 예정이며, 2026년부터 HBM 포함 DRAM 양산에 투입 예정
• 팹 스페이스 제약에도 불구하고 고객 대응에 차질 없도록 사전 설비 투자를 선제적으로 진행 중

3. DRAM 고사양 전환

• 1c 나노 공정 전환은 지난 하반기(2024년) 착수됐으며, 현재(2025년) 본격적인 양산 시작
• 서버용 DDR5 8,000Mbps 이상 고속 제품, LPDDR5X 등 고사양 중심 수요 확대
• GDDR7은 24Gb까지 준비되며, GPU 메모리 영역 확장 대응

4. 낸드 반등과 eSSD 확장

• 321단 기반 UFS 4.1 개발 완료 및 연내 cSSD/eSSD 확대 계획
• 전통적 저장장치 용도 외에 AI 추론 캐싱용 eSSD 수요가 현실화되며 2~3년 내 구조적 수요 전환 예상
• 전력 효율성과 고용량 특성을 기반으로 중장기 eSSD의 역할이 저장장치에서 연산 보조로 전환 중

5. 일반 서버 수요 회복

• AI 가속기 투자가 선행된 후 일반 서버 교체 수요(Non-AI)가 본격화되는 구간에 진입
• CPU 세대 교체 및 D5 채택 확산이 맞물려 전통 서버 DRAM 수요 회복 예상
• 빅테크 외 기업 및 정부의 소버린 AI 인프라 투자도 장기적 수요 기반으로 작용

6. 레거시 수요와 중국 팹 활용

• 고객사 및 공급사의 재고 수준 모두 안정적이며, 과잉 우려는 제한적
• D4, LPDDR4X 등 레거시 제품 수요가 여전히 견조하며, 이를 위한 중국 Fab 활용이 경쟁력 확보에 기여
• 기술 전환기에도 하위 제품 라인의 지속 수요 대응을 위한 생산 탄력성 확보 필요
• 미중 갈등에 따른 지정학적 우려는 있으나, 당사는 현재 중국 Fab 운영에 있어 유의미한 제약이나 차질은 없다고 판단

1Q25 시장 이후 시장 흐름

• 1Q25 무역 분쟁 및 경기 불확실성 등으로 인한 수요 둔화 우려 지속
• 하지만 2Q25부터 빅테크 기업의 AI 투자 지속으로 인한 메모리 수요 견조
• 추가적으로 대외 불확실성에 대비하기 위한 고객의 선제적인 구매가 더해지면서 우호적인 환경 조성

2Q25 실적

출처: sk하이닉스

◆ 매출액 22.23조원(QoQ +26%, YoY +35%) → 분기 사상 최대 매출 기록

• DRAM: B/G 20% 중반 ↑ QoQ, ASP 한 자릿수 % 초반 ↑ QoQ
 - HBM 12단 제품의 본격적인 판매 확대 및 서버·PC용 DRAM 수요가 증가하면서 출하량 상승
 - 상대적으로 가격이 낮은 일반 DRAM 판매가 크게 늘어난 영향으로 ASP 한 자릿수 % 상승
• NAND: B/G 70% 이상 ↑ QoQ, ASP 한 자릿수 후반 ↓ QoQ
 - 전 분기 기저 효과 + 전 응용처에서 수요가 증가하며 전 분기 대비 큰 출하량 기록
 - 현물 가격 상승에도 불구하고 전 제품 솔루션 가격 약세가 지속되면서 ASP 한 자릿수 후반 % 하락
 * B/G: Bit Growth, 비트 단위 출하 증가율

출처: sk하이닉스

◆ 영업이익 9.21조원(QoQ +24%, YoY +68%)

• 사상 최대 분기 실적 경신, 영업이익률 41%

◆ EBITDA 12.65조원(QoQ +17%, YoY +47%)

• EBITDA 마진율 57%
 - 감가상각비와 무형자산상각비 총 3조 4,000억원으로 QoQ 소폭 증가

출처: sk하이닉스

◆ 영업외손익 -0.49조원

• 외화 관련 손익 -0.61조원
• 투자자산 평가이익 등 기타 영업외손익 0.12조원

◆ 당기순이익 7조원

• 당기순이익률 31%
 - 법인세 차감 전 순이익 8조 7,230억원

재무상태

출처: sk하이닉스

• 현금: 2Q24 9.69조원 → 1Q25 14.31조원 → 2Q25 16.96조원
• 차입금: 2Q24 25.23조원 → 1Q25 23.33조원 → 2Q25 21.84조원
• 차입금비율: 2Q24 42% → 1Q25 29% → 2Q25 25%
• 순차입금비율: 2Q24 26% → 1Q25 11% → 2Q25 6%

시장 전망

출처: sk하이닉스

• 당초 올해 메모리 시장 전망은 하반기에 개선이 예상되었으나, 상반기에 견조한 수요 증가와 우호적인 가격 환경이 전개
• 2Q 고객들의 구매 증가에도 고객 재고는 안정적인 수준 유지
• 하반기 신제품 출시에 따른 수요 성장세가 예상되는 만큼, 급격한 수요 감소 가능성은 낮을 것으로 전망

◆ PC/Smartphone

• AI 기능 탑재가 확대되며, 세트 수요와 메모리 채용량이 동시에 성장

◆ Server

• 빅테크 업체들이 대외 환경 변동에도 올해 투자를 상향하고 있어 견조한 수요 성장 전망
• 일반 서버는 교체 주기와 신규 CPU 채용이 맞물리며 수요를 증가시킬 것으로 예상
• AI 서버는 빅테크 업체들의 리스닝 모델을 강화한 AI 에이전트 공개로 인해 본격적인 경쟁 시장에 돌입
• 리스닝 모델은 스스로 문제 해결을 하기 위한 사고 과정을 반복적으로 수행함으로써 기존 AI 모델보다 더 빠른 시스템 사양을 요구
• 또한 각국의 소버린 AI 구축에 따른 정부와 기업의 투자가 계속될 전망으로, 장기적인 AI 메모리 수요 성장의 새로운 동력이 될 것으로 예상

◆ NAND

• DRAM 시장과 달리, AI에 의한 수요 증가는 제한적으로 발생하고 있는 상태
• 하지만 점차 에너지 효율성이 중요해지면서, 향후 고성능·고용량 스토리지 솔루션 구축 시 저전력 강점을 지닌 SSD 채용이 확대될 것

출하 계획

출처: sk하이닉스

◆ DRAM

• 3분기 B/G는 한 자릿수 % 초중반 QoQ 증가

◆ NAND

• 3분기 B/G는 제한적인 성장 계획(Solidigm 합산 기준)

Capex

출처: sk하이닉스

• M15X는 기존 계획대로 올해 4분기에 오픈, ’26년부터 HBM 포함 DRAM 생산에 활용
• 용인 1기 Fab 건설은 ’27년 2분기 준공 예정
• 올해 투자는 기존 계획 대비 증가할 예정
• 내년 HBM의 원활한 고객 대응을 위해 일부 선제적인 투자 필요

제품/Tech 하이라이트

출처: sk하이닉스

HBM

• 전년 대비 약 2배 성장 계획 유지, 안정적인 실적 창출 지속
• HBM3 제품은 성능, 공급, 안정성 등 모든 측면에서 고객사로부터 높은 평가
• 현재 파트너사와 함께 시스템 내 성능 최적화를 위한 협업을 진행 중
• 향후 고객의 요구 시점에 맞춰 적기에 공급할 수 있도록 준비할 것

DRAM

• 실제 수요가 늘어나는 제품 중심으로 판매 확대
 - 8,000Mbps 이상 고사양 DDR5 제품, 128GB 이상 고용량 서버 모듈
 - 플래그십 스마트폰향 LPDDR5X, 중화권 중심 LPDDR4X 등
• 서버용 LPDDR 기반 모듈은 연내 공급 시작, GDDR7도 24Gb 제품까지 준비

◆ NAND

• 2분기 QLC 기반의 120TB 이상 고용량 eSSD 판매 본격 확대
• 향후 시황 개선을 대비해 수요에 빠르게 대응하기 위한 제품 개발 지속 추진
 - 5월, 321단 NAND 기반 UFS 4.1 제품 개발
 - 연내 321단 기술을 적용한 cSSD 및 eSSD 제품도 개발 계획

Appendix

출처: sk하이닉스
출처: sk하이닉스
출처: sk하이닉스


Q&A

Q1. 2025년 이후 중장기 HBM 수요에 대한 전망과 회사가 바라보는 HBM 수요 상의 주요 모멘텀은 무엇인지

• AI 시장은 빅테크 기업들의 지속적인 CapEx 확대, AI 스타트업들의 높은 성장률, 그리고 기하급수적으로 증가하는 토큰 처리량 등을 통해 빠른 속도로 성장 중
• 특히 AI 수요가 학습에서 추론으로 확대되고 있으며, 추론도 위즈닉 모델과 에이전트 등으로 세분화 및 고도화되며 AI 워크로드는 가파르게 증가하는 중
• 이 과정에서 대역폭에 대한 병목도 더욱 심화되는 상황
• HBM은 성능 증가에 결정적인 영향을 미치는 핵심 제품으로 포지셔닝되어 있으며, 그 중요성을 감안할 때 HBM 수요 성장세에 대해서는 의심의 여지가 없는 구간
• AI 에이전트와 피지컬 AI 등으로 시장이 확장되며 연산량이 폭발적으로 증가할 것으로 예상되고, 이는 HBM 수요 성장을 견인하는 동력으로 작용
• 향후 HBM 시장은 형성 초기의 급격한 성장률까지는 어렵겠으나, AI 기술의 빠른 발전과 확산, 고객 풀 확대, 고객들의 신제품 및 서비스 출시를 고려할 때 높은 성장률이 지속될 것으로 판단

Q2. 2026년 주요 고객사와의 HBM 공급 협상은 어떻게 진행되고 있는지

• 고객 관련 구체적인 언급은 어려우나, 전반적인 협상은 계획대로 진행 중
• 고객 프로젝트의 다양성이 증가함에 따라, 제품 믹스와 가격 등을 긴밀하게 협의 중
• 당사는 주요 고객과 AI 반도체 영역에서의 긴밀한 협력 파트너로서, 장기적인 관계까지 고려한 최적의 공급 조건으로 협의 진행
• 고객이 요구하는 최고 품질의 제품을 적기에 안정적으로 공급함으로써, 고객 수요에 상응하는 수준의 공급 증가가 가능하도록 준비 중

Q3. 2분기 풀인 수요의 영향과 이에 따른 고객 재고 증가 수준, 하반기 수요에 미치는 영향은 어떠한지

• 2분기 당사의 출하량 증가 수준은 당초 가이던스를 크게 상회
• 이는 예상보다 높았던 구매 수요의 영향이며, 상반기에는 고객들이 재고를 보수적으로 유지하려 했으나 관세 정책 관련 불확실성이 높아지며 적정 재고 수준 확보로 전략을 전환
• 그동안 낮은 재고를 보유했던 주요 고객들로부터의 구매 수요가 크게 증가
• 일부 레거시 제품의 EOL(End of Life, 단종 계획) 발표가 알려지며, 모듈 업체 포함 일부 중소형 고객들의 물량 확보 경쟁이 더해져 수급이 더 타이트해진 상황
• 상반기 계획 대비 많은 출하가 이루어지며 하반기 수요 둔화에 대한 우려가 존재하나, 당사는 시장 수급의 급격한 변동 가능성은 낮다고 판단
• 2분기 시스템 빌드 증가로 인해 고객 재고 수준이 과도하게 높아지지 않았으며, 메모리 공급사들의 재고도 상당히 줄어든 상태
• 향후 공급은 생산 증가에 기인한 부분 외에는 크게 확대되기 어려운 구조
• 관세 정책 변화에 따라 구매 수요가 영향을 받을 수는 있으나, 수요 가시성이 확보된 제품 중심의 대응 기조를 유지할 계획

Q4. 미국의 대중 반도체 수출 통제 강화에 따른 중국 공장 활용도 저하 우려와 향후 중국 팹 운영 계획은 어떠한지

• SK하이닉스가 2003년 10월에 확보한 VEU(Validated End-User, 검증된 최종 사용자) 지위에는 현재 아무런 변화가 없는 상황
• 고객의 니즈를 최우선으로 고려하되, 규제 범위 내에서 고객 대응에 차질이 없도록 하는 기조 하에 중국 팹은 기존 계획대로 지속 운영할 계획
• 최근 레거시 DRAM 수급 상황을 보면 중국 팹 운영이 유리하게 작용하는 측면도 존재
• 업계 전반에서 HBM 양산이 확대되며 일반 DRAM 캐파에 대한 제약 조건으로 작용하고 있고, DDR5나 LPDDR 같은 리딩 엣지 제품으로의 전환 과정에서 레거시 제품 공급 부족 현상이 나타나는 중
• 이러한 단기적인 레거시 수요 증가는 지난 분기 보유 재고를 활용해 대응했으며, IT 생태계 전반을 스캔한 결과 일정 수준의 레거시 DRAM 수요는 상당 기간 지속될 것으로 판단
• 장기 고객 지원이 필요한 일반 레거시 제품의 안정적 공급을 위해 중국 팹을 적극 활용할 계획
• 중국 팹은 SK하이닉스의 생산 거점일 뿐만 아니라 글로벌 메모리 반도체 수급 측면에서도 중요한 전략적 시설
• 향후에도 미국 규제 상황을 면밀히 모니터링하며 각국 정부와 긴밀한 소통을 지속할 계획

Q5. 2분기 낸드 출하량 성장이 가이던스를 크게 상회했는데, 주로 어떤 고객이나 애플리케이션으로 판매가 증가했는지

• 지난 분기 실적 발표에서 당사는 2분기 낸드 출하 가이던스를 QoQ +20% 수준으로 제시
• 당시 현물 가격은 상승세를 보였고, 고객 재고는 감소 신호가 나타났으나 일부 제품은 수요 가시성이 높지 않았던 상황
• 2분기에는 첫째, 하이퍼스케일러 고객들이 AI 투자를 확대하면서 eSSD 수요가 증가
• 둘째, 관세 영향에 따라 단품 중심의 풀인 수요가 지속
• 셋째, 중화권 내 판매 촉진 행사로 모바일 셋 빌드 수요가 증가
• 이 세 가지 요인이 복합적으로 작용하며 전반적으로 기대치를 크게 상회하는 출하량을 달성
• 2분기 말 기준 당사의 낸드 재고는 정상 수준으로 낮아진 상태
• 향후에도 시장 수요 상황에 맞춰 생산과 재고를 유연하게 운영할 계획

Q6. HBM4 도입에 따라 기존 제품 대비 원가 상승률이 확대되며 수익성 우려가 존재하는데, 이에 대한 회사의 입장은 어떠한지

• HBM4는 기술적으로 전작 대비 많은 변화가 있는 제품
• 구체적으로는 대역폭 향상을 위한 I/O 개수 증가, 저전력 성능을 위한 디자인 변화, 로직 프로세스를 적용한 베이스 다이 등에서 변화가 적용
• 이에 따라 원가 상승 요인이 존재하며, 당사는 이를 가격 정책에 최대한 반영할 수 있도록 대응 중
• 현재의 수익성을 유지하는 수준에서 고객과 최적의 가격 수준을 형성하며 협의를 진행
• AI 시장을 활성화시키는 방향에서 고객과의 협력 관계를 이어갈 계획

Q7. 최근 DDR4 수급이 타이트한 것으로 보이는데, 향후 DDR4 수요 전망과 현재 매출 비중, 생산 종료 시점을 포함한 운영 계획은 어떠한지

• 최근 DDR4 가격 급등은 일부 공급사들이 DDR4 종산을 결정한 데 따른 공급 부족 우려가 단기적으로 부각된 영향
• DDR4에서 DDR5로 세대가 전환되는 시기인 만큼, DDR4 수요 자체에 구조적인 변화가 있다기보다는 일시적인 수요 쏠림 현상으로 판단
• 당사의 DDR4 매출 비중은 2023년부터 DDR5 및 HBM 수요 확대의 영향으로 지속 감소 중
• 2023년에는 두 자릿수 비중을 차지했으나, 2024년에는 한 자릿수 비중으로 축소된 상태
• 매스 마켓을 위한 DDR4 제품은 종산 계획이며, 장기 지원이 필요한 일부 고객에 대해서는 합의된 물량 수준에서 지속 대응할 계획

Q8. 올해 투자가 기존 계획 대비 어느 정도 증가하는지, 증가분이 장비 투자 중심인지 인프라 중심인지

• 당사는 미래 성장을 위한 투자와 재무 건전성 확보를 동시에 추진 중
• 올해는 고객과 협의한 공급 물량을 원활히 지원하기 위한 투자 중심으로 집행 중이며, 이와 별도로 M15X 및 용인 팹 건설 투자 등 장기 성장 기반 확보를 위한 인프라 투자도 병행
• 특히 내년 HBM 공급에 대한 가시성이 확보되면서 적기 대응을 위한 선제적 투자가 필요하다고 판단
• 이에 따라 올해 투자 규모는 기존 계획 대비 증가하며, 대부분 HBM 생산을 위한 장비 투자 중심으로 증가
• 다만 최종적인 투자 규모는 주요 고객과의 협의가 완료되는 시점에 확정될 예정
• 향후에도 CapEx discipline(설비 투자에 대한 엄격한 통제 기조)을 준수하며, 투자 효율성 개선 기조를 지속할 계획

Q9. M16 팹의 스페이스 제약으로 인한 캐파 확대 한계와 M15X 투자를 감안했을 때 내년 연말까지의 캐파 전망, 1c 나노 DRAM 전환 시점은 어떠한지

• HBM 시장이 커지고 수요가 증가함에 따라, 당사는 일반 DRAM에서 HBM으로의 캐파 전환을 진행 중
• HBM은 일반 DRAM 대비 캐파 소요가 크기 때문에, 동일한 양산 물량을 확보하기 위해 필요한 클린룸 규모도 과거 대비 크게 증가
• 기존 팹은 제품 믹스 최적화, 테크 전환, TSV 라인 확보(3D 적층 공정용 인프라 확보) 등을 위해 활용 중이며, 중장기 생산 인프라 확보를 위해 M15X, 용인, 인디애나 어드밴스드 패키징 팹의 투자가 동시에 진행 중
• 이 중 M15X는 올해 4분기 팹 오픈 예정이며, 내년부터 본격 양산이 개시될 계획
• M15X는 고객 수요에 대응하기 위해 차세대 HBM 제품 위주의 양산을 준비 중이며, 내년 물량에 대한 가시성이 확보되어 있어 점진적인 캐파 확대가 가능
• 다만 내년 말까지 M15X에서 어느 정도 스페이스가 활용될지에 대해서는 구체적으로 언급하기 어렵지만, 팹 스페이스 제약으로 인해 고객 제품 공급이 차질을 빚는 일은 없을 것
• 1c 나노 DRAM 전환은 올해 하반기부터 시작되어 본격적인 전환은 내년에 이뤄질 예정
• 현재는 경영 계획을 수립 중이며, 구체적인 계획은 추후 확정 시점에 공유할 예정

Q10. 낸드 시장은 과거 대비 성장세가 둔화되고 공급업체들도 보수적인 생산 기조를 유지하고 있음에도, 수익성 개선이 제한적인 상황이 지속되고 있는데, 이에 대한 향후 전망은 어떠한지

• 현재 낸드 시장의 성장 둔화는 컨슈머 세트 수요 정체와 AI 서버로의 전환을 진행 중인 고객들의 투자가 아직 저장장치 구매로까지는 이어지지 않고 있는 상황에서 비롯
• 하지만 머지않아 저장장치에 대한 투자 필요성도 점차 부각될 것으로 예상
• AI 활용 증가와 이로 인한 토큰 생성량의 폭증은 기존 데이터 처리 방식으로 감당하기 어려운 수준에 도달할 가능성이 있으며, 이로 인해 저장장치 수요가 구조적으로 증가할 것으로 판단
• 이러한 수요 변화에 대응해 AI 추론 데이터를 캐싱하는 방식으로 eSSD를 오프로딩하려는 움직임이 나타나고 있으며, 초기 수요는 2~3년 내 발생할 것으로 전망
• 이 트렌드가 현실화될 경우, eSSD는 단순 저장장치를 넘어 연산용 캐시의 일부로 포지셔닝이 전환될 가능성이 높음
• 당사는 이러한 시점에 낸드 시장에서 큰 폭의 수요 성장이 본격화될 것으로 보고 있음

Q11. 차세대 DRAM 생산 공정인 4F Square와 3D DRAM 기술의 도입 시점과 양산 가능성, 그리고 이러한 기술들이 HBM 및 DRAM 생산 효율성 제고에 기여할 수 있는지

• 메모리 업계의 미세화 공정 전환은 성능과 용량 측면에서 점차 한계점에 도달하고 있는 상황
• 당사는 10나노 이하급에서 구조 및 소재 구성 요소의 획기적 변화를 기반으로, 버티컬 게이트 플랫폼과 3D DRAM 기술의 적용을 우선 검토 중
• 버티컬 게이트 플랫폼은 DRAM 셀 면적을 최소화하고, 트랜지스터 게이트를 수직 배치해 면적 효율성과 전력 특성을 크게 개선하는 차세대 메모리 기술
• 3D DRAM은 DRAM 셀을 수직으로 적층하여, 미세화 없이도 높은 집적도를 구현할 수 있는 기술
• 당사는 이러한 기술들이 기존 공정의 한계를 극복하고 새로운 표준으로 자리잡을 수 있도록, 기술의 안정성 확보에 집중하고 있음
• 다만 해당 기술들의 양산성과 안정성을 확보하려면 상당한 시간이 소요되므로, 원드나노(1z, 1b 등) 기반의 기존 미세화 공정도 병행 개발 중
• 당사 HBM 경쟁력은 기존 DRAM 기반 기술에서 출발한 만큼, 이러한 차세대 DRAM 기술들이 향후 차세대 HBM에도 충분히 연계되어 기술 우위를 이어갈 수 있을 것으로 판단

Q12. 최근 주요 GPU 고객이 중국향 수출 제품 공급을 재개하고 있는데, 이에 따른 수요 업사이드와 당사의 공급 수혜 가능성은 어떠한지

• 주요 GPU 고객의 중국 수출용 제품에 대한 공급 재개는 최근 이루어진 상황으로, 당사는 해당 제품군에 대한 HBM 수요 정보를 현재 확인 중
• 다만 과거 수출 제재 전까지 해당 제품에 적용되는 HBM을 주요 공급 밴더로서 제공해 온 이력이 있어, 고객 수요와 당사의 내부 공급 여건이 부합될 경우 신속한 대응이 가능할 것으로 판단
• 당사는 고객과의 긴밀한 협력 관계를 기반으로, 이번 공급 재개 흐름 역시 고객과 당사 모두에게 긍정적인 결과로 이어질 수 있도록 최선을 다할 계획

Q13. HBM 시장 내 경쟁 심화 및 AI 생태계 변화 속에서, 선두 주자로서의 향후 전략은 무엇인지

• 향후 유효한 공급자가 증가하며 경쟁이 심화될 가능성에 대해 시장의 우려가 존재하는 것은 자연스러운 현상이며, 메모리 사업 자체가 경쟁을 숙명으로 하는 구조
• SK하이닉스는 이러한 경쟁 속에서도 고객과 투자자 모두에게 가치를 전달하는 것을 경영의 핵심 미션으로 설정
• HBM은 과거 일반 메모리와 달리, AI형 컴퓨팅 칩과 시스템의 성능·원가 구조에 큰 영향을 미치는 제품으로 부상
• 이에 따라 메모리 시장은 커머디티 중심 구조에서 벗어나, 리딩 플레이어(시장 선도 기업)가 협상력을 갖는 시장으로 변화
• HBM 수요는 매우 스티키해지고 있으며, 리딩 플레이어가 고객과 얼리 인게이지되는 어드밴티지도 과거 대비 확대
• SK하이닉스는 제품 개발·양산 단계에서 고객의 페인포인트(실제 겪는 불편함이나 문제 상황)를 중심으로 대응해온 조직 문화와 탄탄한 팀워크를 강점으로 보유
• 이러한 소프트한 경쟁력(조직 문화·팀워크·고객 지향성 등 비가시적 역량 요소)은 타 기업이 쉽게 모방하기 어려운 요소이며, 고객의 톱 오브 마인드에 지속적으로 자리잡는 것이 장기 리더십 유지의 핵심
• AI 컴퓨팅 인프라의 제약 조건들을 해결하기 위해 HBM의 세분화뿐 아니라, 새로운 형태의 메모리 수요가 증가 중
• 당사는 고객과의 초기 협업을 통해 커스터마이즈 HBM은 물론, PIM과 같은 차세대 AI형 메모리 영역에서도 리더십을 이어갈 계획


본 콘텐츠는 투자 참고용으로, 이를 근거로 한 투자 손실에 대해 책임을 지지 않습니다.

제프리 기자 valscope@finance-scope.com

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